时间：2025/5/15 15:27:43
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SI3853DV-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于高频开关应用。该芯片广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池供电设备等领域。
其封装形式为 ThermOFET? 2x2 mm MLPQ 封装，能够有效提高散热性能，同时节省 PCB 空间。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：7.4A
导通电阻（典型值）：6.5mΩ
栅极电荷：9nC
输入电容：1080pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
SI3853DV-T1-E3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功耗并提升效率。
2. 高速开关性能，支持高频应用。
3. 增强的热性能，使器件在高功率密度设计中表现优异。
4. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
5. 小型化封装设计，适合空间受限的应用场景。
6. 宽泛的工作温度范围，确保在极端环境下稳定运行。
该器件适用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. 降压或升压型 DC-DC 转换器。
3. 移动设备中的负载开关。
4. 工业及消费类电子中的电机控制。
5. 可携式电子产品的电池管理电路。
6. 高效节能的逆变器系统。
SI3852DS, SI3849DP
