时间：2025/6/16 17:56:38
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SI3585DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET Gen III 技术，旨在提供极低的导通电阻（Rds(on)）和高效率开关性能，适用于要求高效能、小尺寸和低功耗的应用场景。
该 MOSFET 的封装形式为 Hot FET? PowerPAK? 8x8 封装，具有出色的热性能和电气特性，非常适合于空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：27A
导通电阻（典型值）：0.9mΩ
栅极电荷（典型值）：84nC
总电容（输入电容）：1280pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SI3585DV-T1-GE3 提供了业界领先的低导通电阻特性，能够在高频开关应用中显著降低功率损耗。
其采用的 TrenchFET Gen III 技术优化了芯片结构，从而进一步减小了导通电阻和栅极电荷之间的权衡关系。
此外，Hot FET? PowerPAK? 8x8 封装设计提供了较低的热阻和良好的电气连接性，使得该器件能够支持更高的功率密度。
它还具备快速开关能力和优异的雪崩耐量能力，适合多种工业和汽车级应用环境。
该 MOSFET 广泛应用于 DC/DC 转换器、电机驱动、负载开关、电池保护电路以及各种电源管理系统。
其低 Rds(on) 和高电流承载能力使其成为多相电压调节模块（VRM）和高性能计算平台的理想选择。
同时，由于其出色的热性能和紧凑的封装尺寸，也适用于便携式设备和其他空间受限的应用场景。
SI3586DS, SI3476DS, IRF3710TRPBF
