时间：2025/6/18 22:51:10
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SI3483DV-T1-E3 是一款由 Siliconix（现为 Vishay 旗下品牌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有极低的导通电阻和出色的开关性能，适合用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用。其封装形式为 Hot FET? 6x5 DPAK (TO-263-3)，有助于提高散热性能和简化 PCB 布局。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：17A
导通电阻（典型值）：1.4mΩ
栅极电荷（典型值）：58nC
输入电容（典型值）：1190pF
总热阻（结到环境）：40°C/W
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
SI3483DV-T1-E3 的主要特点是低导通电阻和高电流承载能力，这使其在功率转换应用中效率更高并减少了功率损耗。
此外，该器件还具备快速开关速度，可降低开关损耗，非常适合高频应用。
TrenchFET 第三代技术的应用进一步提升了器件的性能和可靠性。
其封装设计优化了散热路径，从而允许更高的功率密度和更简单的系统设计。
器件的高雪崩能量能力增强了其在异常情况下的鲁棒性。
SI3483DV-T1-E3 广泛应用于消费电子、工业设备和通信领域。
典型应用包括：
- 开关模式电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- OR-ing 二极管替代方案
- 电机控制和驱动
- 负载开关
- 电池保护电路
由于其低导通电阻和高频性能，该器件在需要高效功率传输的场景中表现优异。
SI3482DS, SI3484DS
