时间：2025/6/30 9:59:25
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SI3481DV-T1-GE3 是一款由 Siliconix（现为 Vishay 公司旗下品牌）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于高效能的电源管理应用中。其封装形式为 PowerPAK SO-8，适用于表面贴装工艺。
该器件通常被用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及便携式电子设备中的功率转换场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：17A
导通电阻：1.2mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：60nC（典型值）
总电容：1350pF（输入电容 Ciss）
功耗：51W（在 Tamb=25°C 下）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI3481DV-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低传导损耗，提高效率。
2. 高开关速度，能够满足高频应用的需求。
3. TrenchFET Gen III 技术确保了更高的性能和更小的封装尺寸。
4. 小型 PowerPAK SO-8 封装支持高密度电路设计，并具备良好的热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代制造流程。
6. 宽工作温度范围，使其能够在恶劣环境下稳定运行。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 各种 DC-DC 转换器，包括降压、升压和反激拓扑。
2. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
3. 电池管理系统 (BMS) 和保护电路。
4. 电机驱动和负载切换。
5. 通信设备中的功率调节模块。
6. 消费类电子产品中的电源适配器和充电器。
7. 工业自动化和控制系统的功率级组件。
SI3490DGQ-T1-GE3, IRF7843PbF
