时间：2025/5/8 12:20:17
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SI3477DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高开关速度的特点，适用于需要高效能和低损耗的电路应用。其封装形式为 TSOP280-3 封装，适合表面贴装工艺，广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备等领域。
由于其出色的电气性能和可靠性，这款 MOSFET 在多种功率转换场合表现出色，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理以及电机驱动等。
型号：SI3477DV-T1-GE3
Vgs(th)（栅极阈值电压）：1.5V 至 3.5V
Rds(on)（导通电阻，典型值，Vgs=4.5V 时）：2.9mΩ
最大漏源电压 Vds：30V
最大连续漏极电流 Id：106A
总功耗 Ptot：25W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TSOP280-3
SI3477DV-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可减少功率损耗并提高效率。
2. 高电流处理能力，使其能够胜任大功率应用场景。
3. 宽工作温度范围，确保在极端环境条件下也能稳定运行。
4. 紧凑的 TSOP280-3 封装设计，节省 PCB 空间且易于集成。
5. 快速开关速度，有助于降低开关损耗并提升动态响应性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该器件适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流功能。
2. 便携式设备中的负载开关和电池保护。
3. 工业自动化系统中的电机驱动和电磁阀控制。
4. 数据通信设备中的信号切换和功率管理。
5. LED 照明系统的调光与驱动。
6. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统（BMS）。
