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SI3469DV-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/3 14:24:01 查看 阅读:9

SI3469DV-T1-E3 是一款由 Silicon Labs 提供的低功耗、高集成度的单芯片 Zigbee 和 IEEE 802.15.4 无线收发器。该器件适用于需要低功耗和高可靠性的物联网应用,支持 2.4GHz 频段,并且能够满足各种短距离无线通信需求。
  此芯片集成了完整的射频前端,包括功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)以及平衡-不平衡转换器(Balun),从而简化了系统设计并减少了外部元件的数量。此外,它还支持多种调制模式以适应不同的应用环境。

参数

工作频率:2400MHz-2500MHz
  输出功率:+18dBm
  接收灵敏度:-102dBm@250kbps
  电源电压:1.8V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装形式:40-QFN

特性

SI3469DV-T1-E3 的主要特性包括:
  1. 高性能的射频收发功能,能够在复杂环境中提供稳定的无线连接。
  2. 内置功率放大器和低噪声放大器,确保远距离传输和高质量信号接收。
  3. 支持多种调制方式,例如 OQPSK 和 BPSK,灵活应对不同应用场景的需求。
  4. 极低的工作电流,待机模式下仅为微安级别,非常适合电池供电设备。
  5. 简化的天线匹配网络设计,进一步降低了整体方案的成本与尺寸。
  6. 具备强大的抗干扰能力,即使在密集网络中也能保持高效运行。

应用

这款芯片广泛应用于智能家居、工业自动化、医疗监测、资产追踪以及其他需要低功耗无线通信的领域。具体应用实例包括智能照明控制、温湿度传感器节点、安防报警系统以及远程抄表等。

替代型号

SI3468DV-T1-E3
  CC2520
  AT86RF215

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SI3469DV-T1-E3参数

  • 数据列表SI3469DV
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 6.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.14W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI3469DV-T1-E3TR