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SI3467DV-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/3 14:23:02 查看 阅读:6

SI3467DV-T1-E3 是一款由 Silicon Labs 公司生产的高集成度的 DC-DC 转换器芯片,主要用于需要高效能电源管理的应用场景。该芯片采用了先进的工艺技术,能够提供稳定的输出电压,并且具有高效率、小尺寸和易于使用的特点。
  此芯片适用于便携式电子设备、消费类电子产品以及工业控制等领域,广泛应用于电池供电系统中,以延长电池使用寿命。

参数

输入电压范围:2.7V 至 5.5V
  输出电压范围:0.8V 至 VIN
  最大输出电流:2A
  开关频率:2.2MHz
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
  封装形式:QFN-16(3mm x 3mm)
  静态电流:20uA
  效率:高达95%

特性

SI3467DV-T1-E3 具备多种先进特性。首先,它支持宽范围的输入电压,能够在 2.7V 到 5.5V 的范围内稳定运行,从而适应各种不同的电源环境。
  其次,其高效的转换能力确保了在不同负载条件下的出色性能,最高效率可达 95%,这对于降低功耗至关重要。
  此外,芯片内置了过温保护、短路保护和过流保护等功能,进一步提升了系统的可靠性和安全性。
  它的微型 QFN-16 封装设计不仅节省了 PCB 空间,还简化了设计与制造流程。另外,低静态电流(20uA)有助于延长电池寿命,在便携式应用中尤为重要。

应用

该芯片适合用于各种需要高效电源转换的场合,包括但不限于智能手机和平板电脑等便携式设备中的电池充电管理;可穿戴设备如智能手表或健身追踪器;物联网 (IoT) 设备及传感器节点;无线耳机和其他小型电子产品;以及工业领域内的数据采集模块和远程监控装置。
  由于其出色的效率和紧凑的设计,SI3467DV-T1-E3 成为现代电子设备中不可或缺的电源管理解决方案之一。

替代型号

SI3468DV-T1-E3
  SI3469DV-T1-E3

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SI3467DV-T1-E3参数

  • 数据列表SI3467DV
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C54 毫欧 @ 5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.14W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI3467DV-T1-E3TR