时间：2025/5/8 14:04:25
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SI3458DV-T1-E3 是一款由 Siliconix（现为 Vishay 公司旗下品牌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有极低的导通电阻和高效率，非常适合要求高性能、低功耗的应用场景。
该 MOSFET 主要用于消费电子、工业设备以及通信领域的电源管理电路中，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电池保护电路等。其小型化的封装形式使其特别适合空间受限的设计。
型号：SI3458DV-T1-E3
类型：N 沟道 MOSFET
Vds（漏源极耐压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值@ Vgs=10V）：6.5mΩ
Id（连续漏极电流）：28A
Qg（栅极电荷）：19nC
EAS（雪崩能量）：74mJ
封装：TO-263-3L（DPAK）
SI3458DV-T1-E3 的主要特性包括：
1. 极低的 Rds(on)，能够显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高脉冲承受能力，可应对瞬态电流冲击。
3. 栅极电荷较低，有助于实现更快的开关速度，从而减少开关损耗。
4. 采用 Vishay 的先进 TrenchFET 第三代工艺，提供卓越的性能与可靠性。
5. 工作温度范围广（-55°C 至 +150°C），适应各种环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
SI3458DV-T1-E3 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 便携式电子设备中的负载开关。
3. 电机驱动和逆变器电路。
4. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
5. 各类 DC-DC 转换器及 POL（Point of Load）转换器。
6. 电信设备中的电源模块。
SI3457DS, IRF7843TRPBF, AO3402A
