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SI3456DV-T1-E3 发布时间 时间:2025/7/10 14:49:58 查看 阅读:11

SI3456DV-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的高效率同步降压 DC-DC 转换器。该芯片集成了高端和低端功率 MOSFET,能够在宽输入电压范围内提供高效、稳定的输出电压。它采用了先进的 PWM 控制技术,具有快速的瞬态响应能力和低电磁干扰特性,适用于多种便携式设备和工业应用。

参数

类型:同步降压转换器
  输入电压范围:4.5V 至 28V
  输出电压范围:0.8V 至 VIN
  最大输出电流:6A
  开关频率:400kHz 至 2.2MHz(可调)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:TSSOP-20
  静态电流:25μA
  PSRR(电源抑制比):70dB@1kHz
  效率:高达97%
  保护功能:过流保护、短路保护、过温保护

特性

SI3456DV-T1-E3 提供了卓越的性能和可靠性,其主要特性如下:
  1. 高效的同步整流设计,显著降低了功耗。
  2. 宽泛的输入电压范围使其能够适应多种电源环境。
  3. 内置的补偿网络简化了外部元件的设计,从而减少了整体解决方案的尺寸。
  4. 支持可编程软启动功能,有效避免了上电过程中的电流冲击。
  5. 灵活的开关频率选择范围,允许设计师优化效率和噪声表现。
  6. 具备全面的保护机制,确保在各种异常情况下都能安全运行。
  7. 小巧的 TSSOP-20 封装,适合空间受限的应用场景。

应用

这款芯片广泛应用于以下领域:
  1. 便携式电子设备,如笔记本电脑适配器、平板电脑电源管理。
  2. 工业自动化系统中的分布式电源架构。
  3. 汽车电子系统,例如信息娱乐单元或驾驶辅助模块。
  4. 通信设备,包括路由器、交换机等网络基础设施。
  5. LED 驱动器和其他需要高效电源转换的应用场景。

替代型号

SI3445DV, SI3455DV

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SI3456DV-T1-E3参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流5.1 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.045 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSOP-6
  • 封装Reel
  • 下降时间10 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散2 W
  • 上升时间10 ns
  • 工厂包装数量3000
  • 典型关闭延迟时间25 ns
  • 零件号别名SI3456DV-E3