时间：2025/5/22 0:44:34
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SI3456CDV-T1-GE3 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术制造，具有极低的导通电阻和优秀的开关性能，适用于高频和高效率的功率转换应用。
其封装形式为 Hot FET? 封装（TSSOP），能够有效提高散热性能和电气连接可靠性，同时支持表面贴装工艺，便于自动化生产。这款 MOSFET 广泛应用于 DC/DC 转换器、负载点 (POL) 转换、电机驱动、LED 驱动以及电池供电设备等领域。
型号：SI3456CDV-T1-GE3
类型：N 沟道 MOSFET
VDS（漏源极击穿电压）：30 V
RDS(on)（导通电阻，典型值 @ 4.5V）：2.7 mΩ
RDS(on)（导通电阻，典型值 @ 10V）：2.2 mΩ
ID（连续漏极电流）：89 A
Qg（总栅极电荷）：31 nC
EAS（雪崩能量）：0.27 J
封装：TSSOP（Hot FET?）
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，确保了更低的传导损耗，提高了整体系统效率。
2. 出色的开关性能，适合高频应用场合，例如硬开关和软开关拓扑结构。
3. 使用 Vishay 的 TrenchFET Gen III 技术，实现了更高的单位面积电流承载能力。
4. 热增强型封装设计，有助于更好地管理器件在高功率运行时的温度。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合全球范围内的电子设备使用。
6. 支持大电流操作，适用于高功率密度的设计需求。
7. 提供良好的雪崩耐用性，增强了系统的鲁棒性和可靠性。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流应用。
2. DC/DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 负载点 (POL) 转换器中的高效功率传输。
4. 工业与消费类电机驱动电路。
5. LED 照明驱动器中的恒流控制。
6. 电池管理系统中的充放电路径控制。
7. 各种需要高性能 MOSFET 的场景，如 UPS 和通信电源等。
SI3457CDV-T1-GE3
IRL3803PBF
AO3400A
