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SI3454CDV-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/9 9:06:17 查看 阅读:28

SI3454CDV-T1-GE3 是一款由 Semtech 公司生产的高性能以太网物理层(PHY)收发器芯片。该芯片专为工业和商业应用中的千兆以太网连接而设计,支持多种接口类型,包括铜线(RJ45)和光纤连接。其低功耗、高集成度和可靠性使其成为网络设备的理想选择,例如交换机、路由器、工业网关等。

参数

供电电压:1.8V至3.3V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据速率:10/100/1000 Mbps
  封装形式:96 引脚 TQFP
  接口标准:IEEE 802.3ab, IEEE 802.3u, IEEE 802.3z
  功耗:小于 450mW(典型值)
  传输距离:最长 100 米(CAT5e 电缆)

特性

SI3454CDV-T1-GE3 提供了卓越的性能和灵活性。
  1. 支持全双工和半双工模式下的自动协商功能,可适应不同的网络环境。
  2. 内置强大的诊断工具,如链路状态检测、信号质量分析等,便于维护和故障排查。
  3. 集成了高效的电源管理模块,降低了整体系统的能耗。
  4. 提供增强的 EMC 性能,确保在复杂电磁环境中稳定运行。
  5. 支持 MDI/MDIX 自动交叉功能,简化了布线要求。
  6. 高度集成的设计减少了外部元件数量,从而节省了 PCB 空间。

应用

SI3454CDV-T1-GE3 广泛应用于需要高速以太网连接的场景中,具体包括:
  1. 工业以太网交换机
  2. 商用路由器与网关
  3. 智能家居控制器
  4. 嵌入式计算设备
  5. 工业自动化系统中的通信模块
  6. 视频监控设备(如 IP 摄像头)

替代型号

SI3454CDV-T1-GN3
  BCM5461
  DP83867IRNL

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SI3454CDV-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 3.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10.6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds305pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)