时间：2025/7/8 23:06:39
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SI3447DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术制造，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，非常适合于高效率电源转换应用。其封装形式为 Hot FET? 6x5 DPAK (TO-263)，能够有效提高散热性能并简化 PCB 设计。
该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、负载点转换器、电机驱动器、通信设备及工业控制等领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：30A
导通电阻（Rds(on)）：1.9mΩ（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：38nC
输入电容：1980pF
总热阻（结到环境）：40°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI3447DV-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可显著降低功率损耗。
2. 快速开关速度，减少开关损耗，提高系统效率。
3. 高额定电流能力，适用于大功率应用。
4. 优化的栅极电荷设计，降低了驱动损耗。
5. 支持高频工作，适合用于高频开关电源和逆变器。
6. 工作温度范围宽广，能够在极端条件下保持稳定运行。
7. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
8. 封装形式具备出色的散热性能，支持表面贴装技术（SMD），简化生产流程。
该器件的典型应用领域包括：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器和负载点转换器。
3. 电机驱动电路，例如步进电机和无刷直流电机。
4. 通信设备中的电源管理模块。
5. 工业自动化控制系统中的功率级元件。
6. 电池充电器和 UPS 系统。
7. 各种需要高效功率开关的应用场景。
SI3446DP
SI3447DS
IRF7728
