您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SI3443DDV-T1-GE3

SI3443DDV-T1-GE3 发布时间 时间:2025/4/28 14:11:07 查看 阅读:27

SI3443DDV 是一款由 Silicon Labs 提供的高集成度、低功耗的同步整流降压直流-直流转换器。该器件能够提供高达 3A 的连续输出电流,具有较宽的输入电压范围 (2.7V 至 5.5V),适用于电池供电设备和便携式电子产品的电源管理。
  其内部集成了 MOSFET 开关,并通过恒定导通时间控制模式实现快速瞬态响应和高效率。此外,该芯片支持可编程开关频率以及多种保护功能,如过流保护、短路保护和过温保护。

参数

输入电压范围:2.7V 至 5.5V
  输出电流:3A
  工作频率:1MHz 至 2.2MHz(可调)
  效率:高达 95%
  封装形式:TSSOP-16
  待机电流:1uA(典型值)
  启动电流:20uA(最大值)
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃

特性

SI3443DDV 集成了高性能同步整流电路,无需外部补偿元件即可稳定运行。
  它采用恒定导通时间控制架构,确保了在不同负载条件下的快速动态响应。
  内置软启动功能可有效减少浪涌电流,同时支持使能引脚以实现系统级电源管理。
  芯片的工作频率可通过外部电阻进行调整,便于优化电磁干扰性能。
  具备全面的保护机制,包括逐周期限流保护、热关断以及打嗝模式短路保护,提升了系统的可靠性。

应用

该芯片适用于各种便携式消费类电子产品中的高效电源转换任务,例如智能手机和平板电脑的充电电路。
  此外,在物联网设备、可穿戴产品以及工业控制领域中也广泛使用。
  由于其支持较宽的输入电压范围和小尺寸封装,非常适合对空间和功耗敏感的应用场景。

替代型号

SI3442DDV-T1-GE3, SI3444DDV-T1-GE3

SI3443DDV-T1-GE3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SI3443DDV-T1-GE3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥3.42000剪切带(CT)3,000 : ¥0.75127卷带(TR)
  • 系列TrenchFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4A(Ta),5.3A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)47 毫欧 @ 4.5A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)30 nC @ 8 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)970 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.7W(Ta),2.7W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装6-TSOP
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6