时间：2025/6/17 9:34:13
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SI3435DV-T1-GE3 是一款由 Siliconix（现为 Vishay 公司的一部分）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术，具有超低导通电阻和极佳的开关性能，非常适合用于高效能电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等应用领域。
其小型化的封装形式 (PowerPAK? MLP34-3x3) 有助于节省电路板空间，同时保持高性能和高可靠性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：29A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷：88nC
输入电容：4540pF
总功耗：2.7W
工作温度范围：-55°C to +175°C
SI3435DV-T1-GE3 使用先进的 TrenchFET 技术制造，具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在 10V 栅极驱动时仅为 1.2mΩ，能够显著降低功率损耗。
2. 高效率的开关性能，得益于优化的栅极电荷设计。
3. 小尺寸 PowerPAK MLP34-3x3 封装，有助于实现高密度 PCB 布局。
4. 工作结温高达 +175°C，适用于极端环境下的应用。
5. 符合 RoHS 标准，并且支持无 内置 ESD 保护功能，增强了器件的鲁棒性。
这款 MOSFET 广泛应用于各种需要高效功率转换和开关控制的场合，例如：
1. 各类 DC-DC 转换器模块，包括降压、升压和反相拓扑。
2. 动态负载调节及电池管理系统中的负载开关。
3. 计算机与服务器电源供应单元（PSU）。
4. 消费电子产品中的快速充电解决方案。
5. 电动工具及家用电器内的电机驱动电路。
6. 太阳能微逆变器以及其他可再生能源系统的功率级组件。
SI3441DP, IRF3710PBF, FDS6680
