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SI3424BDV-T1-GE3 发布时间 时间:2025/4/28 18:37:23 查看 阅读:20

SI3424BDV-T1-GE3 是一款由 Semtech 公司生产的以太网供电 (PoE) PSE(电源供应设备)控制器芯片。该芯片专为符合 IEEE 802.3af/at 标准的 PoE 应用而设计,能够支持多达 24 个端口的供电管理,适用于网络交换机、路由器、集线器等设备。
  SI3424BDV-T1-GE3 提供了高度集成化的解决方案,简化了系统确保每个端口能够安全、高效地为受电设备 (PD) 提供电力。

参数

工作电压:3.3V 或 5V
  最大输出电流:600mA(每通道限制为 600mA)
  端口数量:24
  PoE 标准:IEEE 802.3af/at
  检测机制:支持 Type 1 和 Type 2 设备
  保护功能:过流保护、过压保护、短路保护
  封装类型:TSSOP48

特性

SI3424BDV-T1-GE3 的主要特性包括以下几点:
  1. 高度集成的 24 端口 PoE 控制器,减少了外部元件的数量和 PCB 占用面积。
  2. 符合 IEEE 802.3af/at 标准,兼容多种 PD 类型,可灵活配置供电需求。
  3. 内置智能检测与分类功能,能够自动识别和评估连接的 PD 设备所需功率。
  4. 支持多种故障保护机制,包括过流、过压及短路保护,提高了系统的可靠性和稳定性。
  5. 提供全面的状态监控和诊断功能,便于实时了解各端口的工作情况。
  6. 可编程限流和关断功能,允许用户根据具体应用优化功耗和性能。

应用

SI3424BDV-T1-GE3 主要应用于以下领域:
  1. 网络交换机和路由器中的 PoE 功能实现。
  2. IP 摄像头、无线接入点 (AP) 和 VoIP 电话等需要远程供电的设备。
  3. 工业自动化控制和物联网 (IoT) 基础设施中的 PoE 解决方案。
  4. 任何需要高密度、多端口供电管理的应用场景。

替代型号

SI3424CDV-T1-GE3, SI3424BDV-GM-GE3

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SI3424BDV-T1-GE3产品

SI3424BDV-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C28 毫欧 @ 7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs19.6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds735pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.98W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)