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SI3410DV-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/10 15:09:39 查看 阅读:10

SI3410DV-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs 公司生产的低功耗、高性能的 RS-485/RS-422 收发器。该芯片设计用于工业通信和楼宇自动化等需要长距离可靠数据传输的应用场景。它支持高达 20 Mbps 的数据速率,并具有强大的抗噪能力,使其非常适合在嘈杂的电气环境中工作。
  SI3410DV-T1-GE3 还具备自动方向控制功能,这可以简化系统设计并减少对外部组件的需求。此外,其低功耗特性使得它非常适用于对能耗敏感的电池供电设备。

参数

电源电压:2.7V 至 5.5V
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  最大数据速率:20 Mbps
  驱动器输出电流:±16 mA(典型值)
  接收器输入阻抗:≥12 kΩ(典型值)
  待机功耗:<1 μA(典型值)
  封装类型:8 引脚 SOIC 封装

特性

SI3410DV-T1-GE3 提供了多种关键特性以增强其性能和适用性。首先,它的低功耗模式能够显著延长电池供电设备的工作时间,这对于远程监控和无线传感器网络至关重要。
  其次,芯片内置的自动方向控制功能免去了手动切换发送和接收方向的复杂操作,同时减少了外部元件数量,从而降低了整体系统成本。
  此外,该收发器还提供了卓越的静电放电(ESD)保护,额定值为 ±有助于提高系统的稳定性和可靠性。
  最后,其宽泛的电源电压范围和高耐温能力进一步扩大了这款芯片在各种恶劣环境下的应用潜力。

应用

SI3410DV-T1-GE3 广泛应用于需要可靠数据通信的场合,包括但不限于工业自动化控制系统、楼宇管理系统、安防监控设备、医疗仪器以及能源管理解决方案。
  由于其支持 RS-485 和 RS-422 协议,该芯片非常适合构建多点网络,例如工厂车间中的分布式 I/O 系统或家庭自动化中的智能照明控制。
  此外,在诸如环境监测站或野外数据采集装置等低功耗需求场景中,这款收发器也表现优异。

替代型号

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  SI3412DV-T1-GE3

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SI3410DV-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19.5 毫欧 @ 5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs33nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1295pF @ 15V
  • 功率 - 最大4.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI3410DV-T1-GE3TR