SI3404-A-GMR 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET,采用微型 GMR 封装。该器件设计用于高频开关应用和负载切换场景,具有极低的导通电阻和快速开关性能。
其主要特点是高效率、小尺寸和出色的热性能,非常适合空间受限的应用环境,例如移动设备、笔记本电脑适配器以及消费类电子产品的电源管理部分。
最大漏源电压(Vds):20V
最大栅源电压(Vgs):±8V
连续漏极电流(Id):4.2A
导通电阻(Rds(on)):7mΩ(典型值,在 Vgs=4.5V 时)
栅极电荷(Qg):12nC(典型值)
总电容(Ciss):1350pF(典型值)
工作结温范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:GMR-1-10
SI3404-A-GMR 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在高频应用中显著降低功耗。
2. 快速开关性能,适合 DC-DC 转换器、同步整流和负载切换等应用。
3. 小型 GMR 封装,节省 PCB 空间,同时提供优异的散热性能。
4. 高雪崩能力和鲁棒性,确保在恶劣条件下也能稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适用于现代电子产品设计要求。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 移动设备中的电源管理模块。
2. 笔记本电脑适配器及充电器的同步整流电路。
3. 工业设备中的负载切换控制。
4. LED 驱动器和 D 类音频放大器中的高频开关元件。
5. 消费类电子产品中的电池保护电路。
SI3406DS, SI3402DS