时间：2025/4/29 9:26:48
阅读：19
SI32283-A-FMR 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术，具有低导通电阻 (RDS(on)) 和高开关速度的特点，适用于需要高效能和紧凑设计的应用场景。该芯片主要面向消费电子、通信设备和工业控制等应用领域。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：47A
导通电阻(RDS(on))：1.5mΩ
栅极电荷(Qg)：37nC
总功耗(Ptot)：18W
工作温度范围(Top)：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263-3
SI32283-A-FMR 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，可显著降低传导损耗。
2. 高额定电流能力 (Id)，适合大功率应用。
3. 高效的开关性能，支持高频操作。
4. 热稳定性强，能够在宽温度范围内可靠运行。
5. 使用 Vishay 的 TrenchFET? 技术，优化了芯片面积与性能之间的平衡。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 电池保护系统中的负载开关。
5. 各种工业及消费类电子产品的电源管理模块。
6. 通信设备中的高效能功率转换模块。
SI32283-D-FMR, SI32283-E-FMR
