时间：2025/5/7 15:39:48
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SI32261-C-GM1R 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET? Gen III 技术，具有超低导通电阻和出色的开关性能。它专为高频开关应用而设计，适用于消费电子、工业设备以及通信系统中的功率转换和负载开关等场景。
SI32261-C-GM1R 的封装形式为 SOT-23-3L 小型表面贴装封装，适合高密度电路板布局。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：4.9A
导通电阻(Rds(on))：5.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
总功耗(Ptot)：0.7W
结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23-3L
1. 超低导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高速开关性能，支持高频应用。
3. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
4. 极小的 SOT-23-3L 封装尺寸，便于紧凑型设计。
5. 提供强大的浪涌能力，增强了器件的鲁棒性。
6. 支持宽范围的工作电压和电流，满足多种应用场景的需求。
7. 可靠性高，能够承受极端温度环境下的运行。
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC/DC 转换器中的功率开关。
3. 负载开关和电池保护电路。
4. 电机驱动和逆变器应用。
5. 计算机及外设中的功率管理。
6. 消费类电子产品中的高效能设计。
7. 工业自动化和通信设备中的功率控制模块。
SI3226ADN, SI3226BDN, SI3226CDT
