时间：2025/5/12 19:40:10
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SI2435-D-FTR 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术制造，具有较低的导通电阻和较高的效率，适用于高频开关应用。其封装形式为 FTR（Flatpack TO-263），能够提供出色的散热性能。
这款 MOSFET 广泛用于消费类电子产品、工业控制以及通信设备中的电源管理电路，如 DC/DC 转换器、负载开关、电机驱动等场景。
型号：SI2435-D-FTR
类型：N沟道功率 MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：50V
Rds(on)（导通电阻，典型值@ Vgs=10V）：18mΩ
Id（连续漏极电流）：27A
Vgs（栅源极电压范围）：±20V
Qg（总栅极电荷）：19nC
EAS（雪崩能量）：3.5mJ
封装：FTR (TO-263)
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI2435-D-FTR 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少导通损耗并提高整体效率。
2. 高效的热性能设计，确保在高功率应用中保持稳定运行。
3. 支持高频开关操作，适合现代电子设备对快速响应的需求。
4. 采用先进的 TrenchFET Gen III 技术，优化了电气特性和物理结构。
5. 提供卓越的抗雪崩能力，增强了器件的可靠性和耐用性。
6. 宽泛的工作温度范围使得其能够在各种恶劣环境下正常工作。
7. 小巧的封装尺寸有利于节省 PCB 空间，便于小型化设计。
该芯片可应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器（DC/DC converters）
3. 同步整流电路
4. 电池管理系统（BMS）
5. 电机驱动与控制
6. 工业自动化设备中的负载切换
7. 电信及网络设备的电源管理模块
8. 笔记本电脑和台式机的供电解决方案
SI2436DS, IRF7822, AO3400
