时间：2025/4/27 13:29:01
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SI2399CDS-T1是来自Vishay Siliconix的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管，采用DFN8（3x3）封装。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种高效能电源管理应用。其优异的性能使得它在便携式设备、计算机、通信系统以及工业控制等领域中被广泛使用。
最大漏源电压：30V
最大栅极驱动电压：±8V
连续漏极电流：4.5A
导通电阻（Rds(on)）：1.6mΩ（典型值，当Vgs=10V时）
总功耗：1.1W
工作结温范围：-55°C至+175°C
SI2399CDS-T1采用了先进的制造工艺，使其具备了非常低的导通电阻，从而降低了传导损耗，提高了系统的效率。此外，该器件还拥有出色的热性能和高雪崩能量能力，能够承受短时间的异常负载条件。
由于其小尺寸的DFN8封装形式，不仅有助于减少印刷电路板的空间占用，还能改善散热表现。同时，它的快速开关特性可以降低开关损耗，在高频应用中表现出色。
另外，该器件符合RoHS标准，环保且适合无铅焊接制程。
SI2399CDS-T1非常适合用作同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路以及电机驱动等场景中的功率开关元件。在这些应用中，它可以提供高效的电能转换和稳定的运行性能。
例如，在笔记本电脑适配器或者手机充电器的设计中，利用SI2399CDS-T1可以实现小型化、轻量化的产品目标，同时确保良好的输出特性和较低的能耗。
SI2396DS, SI2397DS, SI2398DS
