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SI2393DS-T1-GE3 发布时间 时间:2025/7/1 4:16:06 查看 阅读:4

SI2393DS 是一款由 Vishay 推出的 N 沣道沟增强型功率 MOSFET,采用小型化的 SOT-23 封装。该器件广泛应用于需要低功耗、小尺寸和高效率的电子电路中,特别适合开关电源、DC-DC 转换器以及负载开关等应用领域。
  这款 MOSFET 具有较低的导通电阻 (Rds(on)) 和栅极电荷 (Qg),能够显著降低传导损耗和开关损耗,从而提高系统的整体效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:3.1A
  导通电阻 (Rds(on)):150mΩ
  栅极电荷 (Qg):4nC
  总电容 (Ciss):130pF
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:SOT-23

特性

1. 高温稳定性:能够在高达 +175°C 的结温下可靠运行,适用于恶劣环境。
  2. 小型化设计:采用 SOT-23 封装,节省 PCB 空间,非常适合空间受限的应用场景。
  3. 极低的导通电阻:在典型条件下,导通电阻仅为 150mΩ,有助于减少功率损耗。
  4. 快速开关性能:具有低栅极电荷和快速开关速度,可有效降低开关损耗。
  5. 高可靠性:通过了严格的 AEC-Q101 标准认证,适用于汽车级和其他高可靠性应用。

应用

1. 开关电源 (SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 负载开关
  4. 电池保护电路
  5. 电机驱动控制
  6. 汽车电子系统中的信号切换与功率管理
  7. 便携式设备中的电源管理模块

替代型号

IRLML6402, FDS8945, BSS138

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SI2393DS-T1-GE3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥3.97000剪切带(CT)3,000 : ¥1.13904卷带(TR)
  • 系列TrenchFET? Gen IV
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6.1A(Ta),7.5A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)22.7毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)25.2 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)+16V,-20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)980 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.3W(Ta),2.5W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-3(TO-236)
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3