SI2393DS 是一款由 Vishay 推出的 N 沣道沟增强型功率 MOSFET,采用小型化的 SOT-23 封装。该器件广泛应用于需要低功耗、小尺寸和高效率的电子电路中,特别适合开关电源、DC-DC 转换器以及负载开关等应用领域。
这款 MOSFET 具有较低的导通电阻 (Rds(on)) 和栅极电荷 (Qg),能够显著降低传导损耗和开关损耗,从而提高系统的整体效率。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:3.1A
导通电阻 (Rds(on)):150mΩ
栅极电荷 (Qg):4nC
总电容 (Ciss):130pF
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:SOT-23
1. 高温稳定性:能够在高达 +175°C 的结温下可靠运行,适用于恶劣环境。
2. 小型化设计:采用 SOT-23 封装,节省 PCB 空间,非常适合空间受限的应用场景。
3. 极低的导通电阻:在典型条件下,导通电阻仅为 150mΩ,有助于减少功率损耗。
4. 快速开关性能:具有低栅极电荷和快速开关速度,可有效降低开关损耗。
5. 高可靠性:通过了严格的 AEC-Q101 标准认证,适用于汽车级和其他高可靠性应用。
1. 开关电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 负载开关
4. 电池保护电路
5. 电机驱动控制
6. 汽车电子系统中的信号切换与功率管理
7. 便携式设备中的电源管理模块
IRLML6402, FDS8945, BSS138