SI2377EDS 时间：2025/4/30 16:25:37 阅读：16

SI2377EDS是Vishay Siliconix公司生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用小型化的DSO-8封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种功率转换和负载切换应用。SI2377EDS在便携式设备、电池供电系统以及高频DC-DC转换器中表现出色。
　　该MOSFET的主要特点是其优化的栅极电荷设计，可显著降低开关损耗，同时保持较低的导通电阻。这使其成为需要高效能和小尺寸解决方案的理想选择。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏电流：14A
　　导通电阻（Rds(on)）：8mΩ（典型值，当Vgs=10V时）
　　栅极电荷：29nC
　　输入电容：1360pF
　　总电容：570pF
　　工作结温范围：-55℃至+150℃
　　封装类型：DSO-8

特性

SI2377EDS具备以下关键特性：
　　1. 低导通电阻有助于减少传导损耗，并提高整体效率。
　　2. 高效的栅极驱动特性确保快速开关性能，从而降低开关损耗。
　　3. 小型DSO-8封装使得该器件非常适合空间受限的应用场景。
　　4. 具备良好的热稳定性和可靠性，适合长期运行在高温环境下。
　　5. 符合RoHS标准，支持环保要求。

应用

SI2377EDS广泛应用于以下领域：
　　1. DC-DC转换器中的同步整流和功率因数校正(PFC)电路。
　　2. 便携式电子设备如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理。
　　3. 电池供电系统的充电控制与负载切换。
　　4. 工业自动化设备中的电机驱动和负载开关。
　　5. 各类消费类电子产品中的功率转换和保护电路。