时间：2025/6/9 18:37:23
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Si2374DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其封装形式为 SOT-23 封装，适合在空间受限的应用中使用。
Si2374DS-T1-GE3 在便携式设备、消费类电子、通信设备以及工业应用中表现出色，尤其适用于负载切换、DC/DC 转换器、同步整流等场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：3.8A
导通电阻：56mΩ
栅极电荷：4nC
最大工作结温：175℃
封装形式：SOT-23
Si2374DS-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高频开关条件下减少功率损耗。
2. 高效的开关性能，得益于较低的栅极电荷，从而提升整体效率。
3. 热稳定性好，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
4. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
5. 体积小巧的 SOT-23 封装，非常适合对空间有严格要求的设计。
Si2374DS-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关。
2. DC/DC 转换器中的功率 MOSFET。
3. 同步整流电路。
4. 电池供电设备中的电源管理。
5. 工业自动化中的信号切换。
6. 消费类电子产品中的过流保护和短路保护电路。
Si2302DS, Si2309DS, BSS138
