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SI2371EDS-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/5 22:01:40 查看 阅读:9

SI2371EDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能的电源转换和电机驱动应用。其封装形式为 SC-74A(SOT-665),非常适合空间受限的设计场景。
  该 MOSFET 的主要特点是其优化的电气性能和热性能,能够在高频工作条件下保持高效的能量转换,并提供出色的电流承载能力。此外,由于其小型化封装,它成为消费电子、通信设备以及工业控制等领域的理想选择。

参数

型号:SI2371EDS-T1-GE3
  品牌:Vishay
  类型:N沟道增强型MOSFET
  VDS(漏源极击穿电压):30 V
  RDS(on)(导通电阻,典型值,@VGS=4.5V):8 mΩ
  RDS(on)(导通电阻,典型值,@VGS=10V):5.5 mΩ
  ID(连续漏极电流):9 A
  f(最大工作频率):5 MHz
  封装:SC-74A(SOT-665)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

SI2371EDS-T1-GE3 提供了多种优越的特性以适应现代电力电子设计需求:
  1. 极低的导通电阻 (RDS(on)) 可有效减少导通损耗,从而提高整体效率。
  2. 高速开关性能支持高频应用,降低了系统的磁性元件体积与成本。
  3. 小型化的 SC-74A 封装使其特别适合于对 PCB 空间要求严格的场合。
  4. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  5. 内部结构经过优化,具备优秀的热稳定性和可靠性,可长时间在高温环境下运行。
  6. 在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能,适用于各种严苛环境下的应用。

应用

该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(Switching Power Supplies, SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流开关。
  3. 电池保护电路,例如锂电池管理系统。
  4. 电机驱动器中的低端开关。
  5. 消费类电子产品中的负载开关。
  6. 工业自动化控制中的信号隔离和功率传输控制。
  7. 计算机及外设、通信设备中的高效功率管理模块。
  8. 各种便携式设备的功率级切换和管理。

替代型号

SI2307DS, SI2306DS, SI2322DS

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SI2371EDS-T1-GE3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥3.42000剪切带(CT)3,000 : ¥0.75127卷带(TR)
  • 系列TrenchFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.8A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)45 毫欧 @ 3.7A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)35 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1W(Ta),1.7W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3