时间：2025/6/5 22:01:40
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SI2371EDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能的电源转换和电机驱动应用。其封装形式为 SC-74A（SOT-665），非常适合空间受限的设计场景。
该 MOSFET 的主要特点是其优化的电气性能和热性能，能够在高频工作条件下保持高效的能量转换，并提供出色的电流承载能力。此外，由于其小型化封装，它成为消费电子、通信设备以及工业控制等领域的理想选择。
型号：SI2371EDS-T1-GE3
品牌：Vishay
类型：N沟道增强型MOSFET
VDS（漏源极击穿电压）：30 V
RDS(on)（导通电阻，典型值，@VGS=4.5V）：8 mΩ
RDS(on)（导通电阻，典型值，@VGS=10V）：5.5 mΩ
ID（连续漏极电流）：9 A
f（最大工作频率）：5 MHz
封装：SC-74A（SOT-665）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
SI2371EDS-T1-GE3 提供了多种优越的特性以适应现代电力电子设计需求：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on)) 可有效减少导通损耗，从而提高整体效率。
2. 高速开关性能支持高频应用，降低了系统的磁性元件体积与成本。
3. 小型化的 SC-74A 封装使其特别适合于对 PCB 空间要求严格的场合。
4. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
5. 内部结构经过优化，具备优秀的热稳定性和可靠性，可长时间在高温环境下运行。
6. 在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能，适用于各种严苛环境下的应用。
该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（Switching Power Supplies, SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流开关。
3. 电池保护电路，例如锂电池管理系统。
4. 电机驱动器中的低端开关。
5. 消费类电子产品中的负载开关。
6. 工业自动化控制中的信号隔离和功率传输控制。
7. 计算机及外设、通信设备中的高效功率管理模块。
8. 各种便携式设备的功率级切换和管理。
SI2307DS, SI2306DS, SI2322DS
