SI2371EDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能的电源转换和电机驱动应用。其封装形式为 SC-74A(SOT-665),非常适合空间受限的设计场景。
该 MOSFET 的主要特点是其优化的电气性能和热性能,能够在高频工作条件下保持高效的能量转换,并提供出色的电流承载能力。此外,由于其小型化封装,它成为消费电子、通信设备以及工业控制等领域的理想选择。
型号:SI2371EDS-T1-GE3
品牌:Vishay
类型:N沟道增强型MOSFET
VDS(漏源极击穿电压):30 V
RDS(on)(导通电阻,典型值,@VGS=4.5V):8 mΩ
RDS(on)(导通电阻,典型值,@VGS=10V):5.5 mΩ
ID(连续漏极电流):9 A
f(最大工作频率):5 MHz
封装:SC-74A(SOT-665)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
SI2371EDS-T1-GE3 提供了多种优越的特性以适应现代电力电子设计需求:
1. 极低的导通电阻 (RDS(on)) 可有效减少导通损耗,从而提高整体效率。
2. 高速开关性能支持高频应用,降低了系统的磁性元件体积与成本。
3. 小型化的 SC-74A 封装使其特别适合于对 PCB 空间要求严格的场合。
4. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
5. 内部结构经过优化,具备优秀的热稳定性和可靠性,可长时间在高温环境下运行。
6. 在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能,适用于各种严苛环境下的应用。
该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(Switching Power Supplies, SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流开关。
3. 电池保护电路,例如锂电池管理系统。
4. 电机驱动器中的低端开关。
5. 消费类电子产品中的负载开关。
6. 工业自动化控制中的信号隔离和功率传输控制。
7. 计算机及外设、通信设备中的高效功率管理模块。
8. 各种便携式设备的功率级切换和管理。
SI2307DS, SI2306DS, SI2322DS