时间：2025/5/30 14:20:40
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SI2369DS是一款由Vishay生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TrenchFET? Gen III技术制造，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。它适用于多种开关应用，例如DC-DC转换器、负载开关、电机控制等。封装形式为SC-70（SOT-723），适合空间受限的应用场景。
这款MOSFET在低电压应用中表现出色，能够显著降低功耗并提高效率。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻（典型值）：65mΩ
栅极电荷（典型值）：4.5nC
总电容（输入电容）：95pF
工作温度范围：-55℃至150℃
SI2369DS采用了先进的TrenchFET工艺，其主要特点包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗。
2. 小巧的SC-70封装尺寸，非常适合便携式设备和其他对空间敏感的设计。
3. 快速开关性能，得益于较小的栅极电荷，可提高系统效率。
4. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下也能可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
该MOSFET广泛应用于各种电子领域：
1. 移动设备中的负载开关和电源管理。
2. DC-DC转换器，用于笔记本电脑、平板电脑及其他消费类电子产品。
3. LED驱动电路，提供高效稳定的电流输出。
4. 开关模式电源（SMPS）及多相控制器中的同步整流功能。
5. 各种保护电路，如过流保护和短路保护。
SI2305DS, SI2319DS, BSS138
