时间：2025/5/15 13:23:43
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SI2369BDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有极低的导通电阻和高开关速度，适合用于要求高效能和小尺寸的应用场景。其封装形式为 miniature surface-mount SOT-23，在功率转换、负载切换、DC/DC 转换器以及电池供电设备等领域表现出色。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ
栅极电荷：11nC
功耗：0.6W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
SI2369BDS-T1-GE3 的主要特性包括超低的导通电阻，能够有效降低传导损耗并提升效率。同时，其小型化的 SOT-23 封装使其非常适合空间受限的设计。此外，该器件还具备快速开关性能，有助于减少开关损耗，并且拥有较高的电流承载能力，确保在大负载条件下的稳定运行。
它采用了先进的 TrenchFET 技术，使得单位面积内的电流密度得以提高，从而实现更高的功率密度。其出色的热性能也保证了即使在高温环境下也能保持可靠的运行状态。
另外，这款 MOSFET 的低栅极电荷特性使其非常适合高频应用场合，例如同步整流、电机驱动以及便携式电子设备中的电源管理模块。总体而言，SI2369BDS-T1-GE3 是一款兼顾高性能与高可靠性的功率开关器件。
该器件广泛应用于消费类电子产品、工业控制及通信领域。具体应用包括但不限于以下方面：
1. 手机和平板电脑等便携式设备的充电电路。
2. 笔记本电脑适配器中的同步整流功能。
3. 各种 DC/DC 转换器和降压-升压转换器。
4. LED 驱动器中作为开关元件。
5. 电池保护电路以及负载开关设计。
凭借其紧凑的体积和优秀的电气性能，SI2369BDS-T1-GE3 成为了众多工程师在低电压、大电流应用中的首选解决方案。
SI2302DS, SI2304DS, SI2305DS
