时间：2025/6/20 14:22:36
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SI2367DS 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小型化封装（TSSOP），适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。它具有较低的导通电阻以及良好的开关特性，适合用于电源管理、电机驱动和负载切换等应用。
最大漏源电压：60V
最大连续漏电流：5.2A
导通电阻（Rds(on)）：18mΩ
栅极阈值电压：1V 至 2.5V
总功耗：1.1W
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
SI2367DS 属于 Vishay Siliconix 的 TrenchFET 系列第三代功率 MOSFET，具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，在 Vgs=10V 时仅为 18mΩ，有助于降低传导损耗。
2. 更高的效率，适合电池供电设备。
3. 高度集成的芯片设计使得其具备更高的热性能稳定性。
4. 小巧的封装形式，能够有效节省 PCB 布局空间。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
该 MOSFET 被广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC/DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电池供电便携式设备中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率控制元件。
5. 各类消费电子产品的保护电路及信号切换功能。
SI2304DS, SI2307DS, IRF7404
