时间：2025/5/29 21:58:50
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SI2347DS是Vishay公司生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用了TrenchFET? Gen IV技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适合用于高频开关应用。其小型封装使其非常适合于空间受限的设计场景，同时保持了良好的散热性能。
该MOSFET主要应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域，适用于负载开关、同步整流、DC-DC转换器等电路。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：19A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：15nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ to 150℃
封装类型：PowerPAK? 0606
SI2347DS拥有超低的导通电阻，仅为1.6毫欧，在高频工作条件下能够显著降低功耗并提高效率。此外，它的栅极电荷较小，可以实现快速开关，减少开关损耗。该器件的耐热性非常好，能够在高达150°C的结温下正常运行，适应多种恶劣环境。
其采用的PowerPAK? 0606封装不仅体积小巧，而且提供了较低的热阻和电气寄生效应，有助于提升整体系统性能。这款MOSFET还具备出色的雪崩能力和抗静电能力（ESD），进一步增强了可靠性。
在设计中使用SI2347DS时，工程师可以充分利用其高性能指标来优化电源管理解决方案，从而满足现代电子产品对高效能和小尺寸的需求。
SI2347DS广泛应用于需要高效能功率切换的应用领域，包括但不限于：
1. 笔记本电脑和台式机的电源适配器中的同步整流电路；
2. 移动设备充电器的负载开关；
3. DC-DC转换器模块中的主开关或续流二极管替代元件；
4. 工业自动化设备中的电机驱动电路；
5. LED照明系统的恒流调节电路；
6. 电信基站电源中的功率级管理组件。
SI2384DS, SI2416DS, IRF7834
