SI2347DS 时间：2025/5/29 21:58:50 阅读：21

SI2347DS是Vishay公司生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用了TrenchFET? Gen IV技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适合用于高频开关应用。其小型封装使其非常适合于空间受限的设计场景，同时保持了良好的散热性能。
　　该MOSFET主要应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域，适用于负载开关、同步整流、DC-DC转换器等电路。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：19A
　　导通电阻：1.6mΩ
　　栅极电荷：15nC
　　开关速度：快速
　　工作温度范围：-55℃ to 150℃
　　封装类型：PowerPAK? 0606

特性

SI2347DS拥有超低的导通电阻，仅为1.6毫欧，在高频工作条件下能够显著降低功耗并提高效率。此外，它的栅极电荷较小，可以实现快速开关，减少开关损耗。该器件的耐热性非常好，能够在高达150°C的结温下正常运行，适应多种恶劣环境。
　　其采用的PowerPAK? 0606封装不仅体积小巧，而且提供了较低的热阻和电气寄生效应，有助于提升整体系统性能。这款MOSFET还具备出色的雪崩能力和抗静电能力（ESD），进一步增强了可靠性。
　　在设计中使用SI2347DS时，工程师可以充分利用其高性能指标来优化电源管理解决方案，从而满足现代电子产品对高效能和小尺寸的需求。

应用

SI2347DS广泛应用于需要高效能功率切换的应用领域，包括但不限于：
　　1. 笔记本电脑和台式机的电源适配器中的同步整流电路；
　　2. 移动设备充电器的负载开关；
　　3. DC-DC转换器模块中的主开关或续流二极管替代元件；
　　4. 工业自动化设备中的电机驱动电路；
　　5. LED照明系统的恒流调节电路；
　　6. 电信基站电源中的功率级管理组件。