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SI2342DS 发布时间 时间:2025/6/6 10:48:17 查看 阅读:20

SI2342DS 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管 (MOSFET),采用 SO-8 封装。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于高频开关应用以及负载切换场景。
  其出色的电气性能使其成为消费电子、工业控制和通信设备中的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:5.1A
  导通电阻(Rds(on)):55mΩ(在 Vgs=10V 时)
  总功耗:1.1W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

SI2342DS 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻保证了高效能量转换,并减少了发热问题。
  2. 高速开关能力支持高频 PWM 控制,适用于 DC-DC 转换器和电源管理电路。
  3. 增强的热稳定性使其能够在极端温度条件下可靠运行。
  4. 小巧的 SO-8 封装节省了 PCB 空间,同时保持良好的散热性能。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器和降压/升压电路。
  3. 电池保护和负载切换。
  4. 电机驱动和工业自动化控制。
  5. 便携式电子产品中的功率管理模块。

替代型号

SI2302DS, IRFZ44N, FDP5570

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