时间：2025/6/17 9:32:03
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SI2334DS-T1-GE3 是一款来自 Vishay 的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小尺寸的 TSOT23-3L 封装。该器件专为高频开关应用设计，具有低导通电阻和快速开关速度，适用于各种消费类电子产品、通信设备及工业控制领域。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：3.9A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ
总功耗：430mW
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
SI2334DS-T1-GE3 具有以下显著特点：
1. 低导通电阻：能够减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能：有助于降低开关损耗，非常适合高频应用。
3. 小型封装：TSOT23-3L 封装节省了 PCB 空间，同时具备出色的散热性能。
4. 高可靠性：在宽温度范围内表现出稳定的电气特性。
5. 符合 RoHS 标准：环保且满足国际法规要求。
这款 MOSFET 广泛应用于以下场景：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. LED 驱动器中的电流控制开关。
5. 各种便携式电子设备中的保护电路。
SI2302DS, SI2307DS, BSS138
