时间：2025/4/29 12:07:56
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SI2333DS 是一款来自 Vishay 的 N 沃特功率 MOSFET，采用 TrenchFET Gen III 技术。这款器件具有极低的导通电阻和快速开关性能，非常适合用于 DC-DC 转换器、负载点调节器以及需要高效能开关的应用中。
该型号的封装为 SO-8 封装，有助于提高散热性能和电路板布局灵活性。
类型：N 沃特 MOSFET
封装：SO-8
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：3.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
Ids（连续漏电流）：34A
栅极电荷（Qg）：26nC
最大工作结温：175°C
功耗：5W
SI2333DS 提供了出色的效能表现，主要特性包括：
1. 极低的 Rds(on)，可以有效降低传导损耗并提升整体效率。
2. 高 Ids 和较低的 Qg 值使得其在高频应用中表现出色。
3. 紧凑的 SO-8 封装设计，适用于高密度 PCB 设计。
4. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业要求。
5. 支持多种电源管理场景，例如同步整流和降压转换器中的主开关。
该元器件广泛应用于以下领域：
1. 笔记本电脑和其他便携式设备的电源适配器。
2. 各种 DC-DC 转换器，如负载点调节器和多相 VRM（电压调节模块）。
3. 工业控制系统的电机驱动和开关电源。
4. 可再生能源系统中的逆变器和转换器。
5. 消费类电子产品中的高效能电源管理单元。
SI2304DS, IRF7748Z
