时间：2025/6/18 22:49:12
阅读：3
SI2333ADS-T1-GE3 是来自 Vishay Siliconix 的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用 封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，非常适合用于便携式设备、消费电子和工业控制中的电源管理应用。该器件通过优化设计，提供了出色的功率密度和效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：3.1A
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：4nC
总电容：380pF
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：SOT-23
SI2333ADS-T1-GE3 提供了非常低的导通电阻 (Rds(on))，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。其小尺寸的 SOT-23 封装非常适合空间受限的应用场景。此外，该器件具备快速开关能力，能够支持高频操作，从而降低电磁干扰 (EMI) 和热损耗。
由于采用了先进的制造工艺，此 MOSFET 具备优异的热性能和稳定性，确保在高负载条件下仍然可以保持高效运行。同时，其高雪崩击穿能力和鲁棒性使其能够在严苛的工作环境中可靠运行。
SI2333ADS-T1-GE3 主要应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路以及电池供电设备的功率管理领域。例如，在智能手机和平板电脑等便携式设备中，可以用作同步整流器或降压转换器的一部分，以实现高效的电源调节。
此外，它也广泛应用于 LED 驱动器、音频放大器和各种工业控制设备中，提供稳定且高效的开关性能。
SI2302DS-T1-E3
SI2303DS-T1-E3
AO3400A
