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SI2314EDS 发布时间 时间:2025/6/14 10:49:36 查看 阅读:22

SI2314EDS是Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用小型化的PowerPAK SC-70封装,适用于空间受限的应用场景。其低导通电阻和小封装设计使其成为便携式电子产品、负载开关、DC-DC转换器等应用的理想选择。
  SI2314EDS的工作电压范围为20V,能够提供高效的开关性能和较低的功耗,同时具备优异的热特性和电流承载能力。

参数

最大漏源电压(Vds):20V
  最大栅源电压(Vgs):±8V
  连续漏极电流(Id):1.5A
  导通电阻(Rds(on)):120mΩ(在Vgs=4.5V时)
  总功耗(Ptot):590mW
  工作温度范围(Ta):-55℃至+150℃

特性

SI2314EDS的主要特性包括:
  1. 小型PowerPAK SC-70封装,节省PCB空间。
  2. 低导通电阻Rds(on),确保高效运行。
  3. 高速开关性能,适合高频应用。
  4. 低栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅。
  6. 提供出色的热稳定性和可靠性。

应用

该MOSFET广泛应用于以下领域:
  1. 便携式设备中的负载开关控制。
  2. DC-DC转换器和降压/升压电路。
  3. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  4. 消费类电子产品的电池管理。
  5. 保护电路和限流电路。
  6. 小信号处理及驱动电路。

替代型号

SI2304DS, SI2307DS, SI2310DS

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