时间：2025/6/14 10:49:36
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SI2314EDS是Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用小型化的PowerPAK SC-70封装，适用于空间受限的应用场景。其低导通电阻和小封装设计使其成为便携式电子产品、负载开关、DC-DC转换器等应用的理想选择。
SI2314EDS的工作电压范围为20V，能够提供高效的开关性能和较低的功耗，同时具备优异的热特性和电流承载能力。
最大漏源电压(Vds)：20V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：1.5A
导通电阻(Rds(on))：120mΩ（在Vgs=4.5V时）
总功耗(Ptot)：590mW
工作温度范围(Ta)：-55℃至+150℃
SI2314EDS的主要特性包括：
1. 小型PowerPAK SC-70封装，节省PCB空间。
2. 低导通电阻Rds(on)，确保高效运行。
3. 高速开关性能，适合高频应用。
4. 低栅极电荷(Qg)，有助于减少开关损耗。
5. 符合RoHS标准，环保无铅。
6. 提供出色的热稳定性和可靠性。
该MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 便携式设备中的负载开关控制。
2. DC-DC转换器和降压/升压电路。
3. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
4. 消费类电子产品的电池管理。
5. 保护电路和限流电路。
6. 小信号处理及驱动电路。
SI2304DS, SI2307DS, SI2310DS
