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SI2309BDS-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/9 18:49:13 查看 阅读:31

SI2309BDS-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小型化封装,适合用于高频开关和功率管理应用。其低导通电阻和高切换速度使其成为便携式电子设备、计算机外设及通信系统中的理想选择。
  该型号属于 Sixx 系列,经过优化设计以提供卓越的性能表现和可靠性,同时具有出色的热稳定性和电气特性。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:2.5A
  导通电阻:65mΩ
  总电荷:11nC
  栅极电荷:3.7nC
  输入电容:340pF
  输出电容:100pF
  反向传输电容:75pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够有效减少功率损耗并提升效率。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适用于 DC-DC 转换器等应用。
  3. 小型化的 SOT-23 封装形式,节省 PCB 空间,便于在紧凑设计中使用。
  4. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性,在异常条件下仍能保持可靠运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器和降压/升压转换器。
  3. 电池管理和保护电路。
  4. 电机驱动和负载切换。
  5. 可携式电子设备如智能手机和平板电脑中的电源管理单元。
  6. 计算机外围设备中的信号调节与功率分配。

替代型号

SI2304DS, SI2305DS, SI2308DS

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