时间：2025/6/9 18:49:13
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SI2309BDS-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化封装，适合用于高频开关和功率管理应用。其低导通电阻和高切换速度使其成为便携式电子设备、计算机外设及通信系统中的理想选择。
该型号属于 Sixx 系列，经过优化设计以提供卓越的性能表现和可靠性，同时具有出色的热稳定性和电气特性。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：2.5A
导通电阻：65mΩ
总电荷：11nC
栅极电荷：3.7nC
输入电容：340pF
输出电容：100pF
反向传输电容：75pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效减少功率损耗并提升效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，适用于 DC-DC 转换器等应用。
3. 小型化的 SOT-23 封装形式，节省 PCB 空间，便于在紧凑设计中使用。
4. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性，在异常条件下仍能保持可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器和降压/升压转换器。
3. 电池管理和保护电路。
4. 电机驱动和负载切换。
5. 可携式电子设备如智能手机和平板电脑中的电源管理单元。
6. 计算机外围设备中的信号调节与功率分配。
SI2304DS, SI2305DS, SI2308DS
