时间：2025/6/22 13:36:09
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SI2309 A9SHB 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET Gen III 技术，具有较低的导通电阻和栅极电荷，从而提高了效率和性能。其封装形式为 PowerPAK? 1212-8，能够满足高密度电路设计的需求。
该器件广泛应用于 DC/DC 转换器、负载开关、电机驱动以及便携式电子设备等领域，适用于需要高效能和低功耗的应用场景。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：5.7A
导通电阻（Rds(on)）：6.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：12nC（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：PowerPAK? 1212-8
SI2309 A9SHB 的主要特性包括：
1. 采用先进的 TrenchFET Gen III 技术，实现了更低的导通电阻和更高的效率。
2. 封装小巧，占用 PCB 空间少，适合紧凑型设计。
3. 高温性能优异，能够在高达 175°C 的结温下稳定运行。
4. 栅极电荷低，有助于减少开关损耗。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于使用在各种工业及消费类应用中。
SI2309 A9SHB 主要应用于以下领域：
1. 各类 DC/DC 转换器中的开关元件。
2. 笔记本电脑和移动设备中的负载开关。
3. 电机驱动与控制电路。
4. 开关电源（SMPS）中的同步整流功能。
5. 可穿戴设备和其他对体积和能耗敏感的电子产品。
SI2307DS, SI2308DS
