SI2308DS 时间：2025/5/10 15:14:03 阅读：10

SI2308DS 是一款来自 Vishay Siliconix 的 N 沣道场效应晶体管（N-MOSFET），采用微型封装设计，适用于各种高效能开关应用。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够显著提高功率转换效率。其超小型封装使其非常适合空间受限的设计环境，同时提供卓越的电气性能。
　　SI2308DS 在消费电子、通信设备以及工业应用中被广泛使用，特别适合于负载切换、DC-DC 转换器和电池管理等场景。

参数

型号：SI2308DS
　　类型：N-MOSFET
　　最大漏源电压 (Vds)：30V
　　最大栅极源极电压 (Vgs)：±20V
　　连续漏极电流 (Id)：10.9A
　　导通电阻 (Rds(on))：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　功耗：2.7W
　　封装：DSO-8
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　栅极电荷 (Qg)：9nC

特性

SI2308DS 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在高电流应用中可减少功率损耗。
　　2. 快速开关能力，支持高频操作，有助于提高电源转换效率。
　　3. 小型 DSO-8 封装，节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。
　　4. 出色的热稳定性，能够在高温环境下保持可靠运行。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的要求。
　　6. 宽广的工作温度范围，适应多种严苛的应用环境。
　　7. 提供高效的负载切换和保护功能，适用于复杂电路系统。

应用

SI2308DS 广泛应用于以下领域：
　　1. 移动设备中的 DC-DC 转换器。
　　2. 笔记本电脑和平板电脑的电源管理系统。
　　3. 消费类电子产品的负载开关。
　　4. 工业控制设备中的功率调节模块。
　　5. 通信设备中的高效能开关。
　　6. 电池供电设备的充电管理与保护。
　　7. LED 驱动电路及各类功率转换场景。