时间：2025/4/29 11:23:47
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SI2308BDS-T1-GE3是Vishay公司生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了TrenchFET? Gen III技术，旨在提供低导通电阻和高效率性能。这种MOSFET通常用于电源管理、电机驱动以及开关模式电源等应用领域。
SI2308BDS-T1-GE3具有出色的开关特性和较低的栅极电荷，使其非常适合高频开关应用。其封装形式为SOT-23，是一种小型表面贴装封装，适合空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：3.5A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（典型值，Vgs=4.5V时）
栅极电荷：3.8nC（典型值）
总电容（Ciss）：165pF（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装：SOT-23
1. 使用TrenchFET? Gen III技术实现低导通电阻。
2. 高效开关性能，适用于高频应用。
3. 小型SOT-23封装，节省PCB空间。
4. 符合RoHS标准，环保设计。
5. 宽工作温度范围，适应多种环境条件。
6. 低栅极电荷和快速开关能力，降低开关损耗。
7. 可靠性高，适合工业和消费类电子设备。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级开关。
5. 消费类电子产品中的电源管理。
6. 工业控制系统的功率切换。
7. 便携式设备中的高效电源管理方案。
SI2306DS, SI2309DS, BSS138
