SI2307DS 时间：2025/6/4 4:13:15 阅读：21

SI2307DS 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 SO-8 封装，适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。它广泛用于电源管理、负载开关、电机驱动以及 DC-DC 转换等电路中。
　　SI2307DS 的主要特点是其较低的导通电阻和较高的电流处理能力，这使得它在高频开关应用中表现出色，同时能够有效减少功率损耗。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大连续漏极电流：11A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷：19nC
　　总电容（Ciss）：1220pF
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：SO-8

特性

SI2307DS 具有以下显著特性：
　　1. 低导通电阻：其 Rds(on) 仅为 4.5mΩ，有助于降低功耗并提高系统效率。
　　2. 高电流处理能力：支持高达 11A 的连续漏极电流，适合大功率应用。
　　3. 快速开关性能：较小的栅极电荷 (19nC) 确保了快速开关速度，从而减少了开关损耗。
　　4. 宽工作温度范围：能够在 -55°C 至 +175°C 的结温范围内稳定工作，适应各种环境条件。
　　5. SO-8 封装：紧凑且易于安装，适用于空间受限的设计。
　　这些特性使 SI2307DS 成为高性能电源管理和信号切换的理想选择。

应用

SI2307DS 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
　　2. 电池管理系统 (BMS)，用于保护电池免受过流或短路的影响。
　　3. 电机驱动电路，包括无刷直流电机 (BLDC) 控制。
　　4. 负载开关，用于控制不同负载的供电状态。
　　5. 工业自动化设备中的功率级控制。
　　由于其高效的开关特性和大电流承载能力，SI2307DS 在多种工业和消费类电子产品中均表现出色。