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SI2307DS 发布时间 时间:2025/6/4 4:13:15 查看 阅读:6

SI2307DS 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用 SO-8 封装,适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。它广泛用于电源管理、负载开关、电机驱动以及 DC-DC 转换等电路中。
  SI2307DS 的主要特点是其较低的导通电阻和较高的电流处理能力,这使得它在高频开关应用中表现出色,同时能够有效减少功率损耗。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:11A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ @ Vgs=10V
  栅极电荷:19nC
  总电容(Ciss):1220pF
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:SO-8

特性

SI2307DS 具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻:其 Rds(on) 仅为 4.5mΩ,有助于降低功耗并提高系统效率。
  2. 高电流处理能力:支持高达 11A 的连续漏极电流,适合大功率应用。
  3. 快速开关性能:较小的栅极电荷 (19nC) 确保了快速开关速度,从而减少了开关损耗。
  4. 宽工作温度范围:能够在 -55°C 至 +175°C 的结温范围内稳定工作,适应各种环境条件。
  5. SO-8 封装:紧凑且易于安装,适用于空间受限的设计。
  这些特性使 SI2307DS 成为高性能电源管理和信号切换的理想选择。

应用

SI2307DS 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电池管理系统 (BMS),用于保护电池免受过流或短路的影响。
  3. 电机驱动电路,包括无刷直流电机 (BLDC) 控制。
  4. 负载开关,用于控制不同负载的供电状态。
  5. 工业自动化设备中的功率级控制。
  由于其高效的开关特性和大电流承载能力,SI2307DS 在多种工业和消费类电子产品中均表现出色。

替代型号

SI4473DY, IRFZ44N, FDP55N06L

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