时间：2025/6/16 18:04:53
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SI2307DS-T1-GE3是Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小尺寸的DFN2020-6封装，非常适合用于空间受限的应用场景。其低导通电阻和快速开关特性使其成为功率转换、负载切换以及便携式设备中的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：5.4A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：8nC
开关时间：典型值为10ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
SI2307DS-T1-GE3具有极低的导通电阻，可有效减少功率损耗并提高效率。此外，该器件还具备出色的热稳定性，能够在较高的温度范围内可靠运行。其紧凑的DFN2020-6封装形式有助于减小整体解决方案的尺寸。
该MOSFET支持高速开关操作，能够满足现代电子系统对高效能和高频率的需求。同时，它还具有良好的抗静电能力（HBM模型下ESD耐受电压大于2kV），确保了在生产及使用过程中的可靠性。
该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、电池供电设备的负载开关、电源管理模块、电机驱动电路以及各种便携式电子产品中。其卓越的性能特别适合于需要高效能量转换和快速响应的场合，如智能手机、平板电脑和其他消费类电子产品。
SI2309DS-T1-E3, SI2306DS-T1-GE3
