时间：2025/5/8 15:37:04
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SI2307CDS 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用微型 DPAK 封装（TO-263），具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、负载开关等应用场合。
其设计优化了在便携式电子设备中的效率表现，并通过出色的热性能支持更高的功率密度。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：11.9A
导通电阻（Rds(on)）：8mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：19nC（典型值）
反向恢复时间：5ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
低导通电阻能够减少传导损耗，提高整体系统效率。
快速开关特性使其非常适合高频应用。
具备较低的栅极电荷，从而降低驱动损耗。
符合 RoHS 标准，环保无铅封装。
坚固的雪崩击穿能力和短路耐受能力确保了可靠运行。
DPAK 封装提供了良好的散热性能，简化 PCB 布局设计。
开关模式电源（SMPS）
DC-DC 转换器
负载开关
电池保护电路
电机驱动控制
通信设备中的功率管理模块
消费类电子产品中的高效功率转换解决方案
SI2304DS, SI2305DS, IRF7822, FDP15U20A
