您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SI2307CDS-T1-E3

SI2307CDS-T1-E3 发布时间 时间:2025/5/29 17:27:51 查看 阅读:16

SI2307CDS 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道逻辑电平 MOSFET。该器件采用小型化的 SOT-23 封装,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,非常适合用于负载开关、电源管理、便携式设备以及信号切换等应用领域。
  其设计旨在优化效率和性能,同时减少电路板空间占用。由于其低导通电阻特性,在高频率应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:20V
  连续漏极电流:1.8A
  导通电阻(Rds(on)):65mΩ(典型值,Vgs=4.5V)
  栅极-源极电压范围:-1V 至 +6V
  总功耗:360mW
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23

特性

SI2307CDS 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用。
  3. 小型化 SOT-23 封装,节省 PCB 空间。
  4. 支持宽范围的工作温度,适用于多种环境条件下的应用。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  6. 内部 ESD 保护功能,增强器件可靠性。

应用

SI2307CDS 广泛应用于以下领域:
  1. 移动设备中的负载开关控制。
  2. 电池供电设备中的电源管理。
  3. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
  4. 数据通信接口中的信号切换。
  5. LED 驱动器和小型电机驱动控制。
  6. 一般用途的电子开关应用。

替代型号

SI2302DS, BSS138, FDN327N

SI2307CDS-T1-E3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SI2307CDS-T1-E3资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

SI2307CDS-T1-E3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C88 毫欧 @ 3.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds340pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)