时间：2025/6/3 16:23:13
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SI2307BDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用微型 DPAK 封装，广泛用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。其出色的电气特性和热性能使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。
SI2307BDS-T1-GE3 主要设计用于高频开关应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场合。其具有较低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少功率损耗并提高整体系统效率。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：35A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ
栅极电荷：85nC
总电容（Ciss）：2380pF
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装类型：TO-263-3(DPAK)
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保高效能表现。
2. 高电流处理能力，能够承受高达 35A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，支持高频应用，例如开关电源和电机控制。
4. 强大的热稳定性，允许在 -55°C 至 +175°C 的宽温范围内运行。
5. 微型 DPAK 封装，节省空间且易于安装。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
7. 内部二极管提供反向保护功能，增强了器件的可靠性和安全性。
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动和控制
4. 电池管理系统 (BMS)
5. 负载开关
6. 电信设备中的功率管理
7. 工业自动化及控制设备
8. 消费类电子产品中的电源管理模块
SI2306DS, IRFZ44N, FDP5500
