时间：2025/6/17 0:12:52
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SI2306DS是Vishay公司推出的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管，采用小型化的DFN8封装。该器件专为低导通电阻和高开关速度应用而设计，广泛用于便携式设备、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备等领域。
SI2306DS在高频开关条件下表现出优异的性能，同时具备较低的栅极电荷和输出电容，有助于提高系统效率并降低功耗。
型号：SI2306DS
类型：N沟道增强型MOSFET
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：7mΩ（典型值，Vgs=10V时）
Id（连续漏极电流）：9.6A（典型值，Tc=25°C）
Qg（总栅极电荷量）：7nC
Ciss（输入电容）：430pF
FBSOA（正向偏置安全工作区）：参见数据手册
封装形式：DFN8 (3mm x 3mm)
工作温度范围：-55°C至+150°C
1. 极低的导通电阻Rds(on)，可有效减少传导损耗。
2. 高速开关性能，适用于高频DC-DC转换器及同步整流电路。
3. 小型化DFN8封装，节省PCB空间，适合便携式设备。
4. 符合RoHS标准，绿色环保。
5. 良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠工作。
6. 栅极阈值电压低，便于低压控制电路驱动。
7. 提供出色的耐用性和可靠性，支持长时间稳定运行。
1. 移动设备中的负载开关。
2. DC-DC转换器和降压/升压转换器。
3. 同步整流应用。
4. 电池供电设备的电源管理。
5. 消费类电子产品中的高效能功率转换。
6. LED驱动电路中的功率开关。
7. 通信设备中的电源模块。
SI2303DS, SI2304DS, SI2305DS
