您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SI2306BDS-T1-E3

SI2306BDS-T1-E3 发布时间 时间:2025/7/9 12:33:01 查看 阅读:9

SI2306BDS 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型功率 MOSFET。该器件采用微型 SOT-23 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于便携式设备、负载切换、DC/DC 转换器以及电池供电系统中的电源管理应用。
  其 -T1-E3 后缀表示特定的封装类型和等级。SI2306BDS 在小型化设计中表现出色,能够有效降低功耗并提升效率。

参数

最大漏源电压:20V
  连续漏极电流:1.4A
  导通电阻(Rds(on)):85mΩ(典型值,Vgs=4.5V)
  栅极-源极电压:±8V
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:SOT-23

特性

SI2306BDS 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,从而提高整体能效。
  2. 高速开关性能,适合高频 DC/DC 转换器和其他开关模式电源应用。
  3. 小巧的 SOT-23 封装,节省 PCB 空间,便于在紧凑型设计中使用。
  4. 支持宽范围的工作温度,确保在恶劣环境下的可靠运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代电子产品的合规性要求。
  6. 适用于低至 1.8V 的栅极驱动电压,兼容多种逻辑电平信号。

应用

SI2306BDS 广泛应用于以下领域:
  1. 移动设备的电源管理,例如智能手机和平板电脑。
  2. 开关稳压器和 DC/DC 转换器。
  3. 电池供电设备中的负载开关。
  4. 固态继电器和电机控制。
  5. USB 充电器和便携式充电解决方案。
  6. 可穿戴设备和其他对空间要求苛刻的应用场景。

替代型号

SI2302DS, SI2303DS, BSS138

SI2306BDS-T1-E3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SI2306BDS-T1-E3资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

SI2306BDS-T1-E3参数

  • 数据列表SI2306BDS
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.16A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C47 毫欧 @ 3.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs4.5nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds305pF @ 15V
  • 功率 - 最大750mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI2306BDS-T1-E3TR