时间：2025/7/9 12:33:01
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SI2306BDS 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型功率 MOSFET。该器件采用微型 SOT-23 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于便携式设备、负载切换、DC/DC 转换器以及电池供电系统中的电源管理应用。
其 -T1-E3 后缀表示特定的封装类型和等级。SI2306BDS 在小型化设计中表现出色，能够有效降低功耗并提升效率。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：1.4A
导通电阻（Rds(on)）：85mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
栅极-源极电压：±8V
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23
SI2306BDS 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗，从而提高整体能效。
2. 高速开关性能，适合高频 DC/DC 转换器和其他开关模式电源应用。
3. 小巧的 SOT-23 封装，节省 PCB 空间，便于在紧凑型设计中使用。
4. 支持宽范围的工作温度，确保在恶劣环境下的可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的合规性要求。
6. 适用于低至 1.8V 的栅极驱动电压，兼容多种逻辑电平信号。
SI2306BDS 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备的电源管理，例如智能手机和平板电脑。
2. 开关稳压器和 DC/DC 转换器。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 固态继电器和电机控制。
5. USB 充电器和便携式充电解决方案。
6. 可穿戴设备和其他对空间要求苛刻的应用场景。
SI2302DS, SI2303DS, BSS138
