时间：2025/5/10 15:23:26
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SI2305DS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用微型的 SOT-23 封装形式，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，非常适合用于便携式设备、电池供电系统以及需要高效能功率管理的应用场景。
其设计目标是为低电压应用提供高效的开关性能，并且能够承受较高的电流负载。这种类型的 MOSFET 在电源管理、负载开关、DC-DC 转换器等电路中非常常见。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻（Rds(on)）：175mΩ
栅极电荷：4.5nC
总功耗：400mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23
1. 低导通电阻（Rds(on)），在低电压下能够有效降低功率损耗，提升效率。
2. 快速开关能力，有助于减少开关损耗并提高系统的整体效能。
3. 小型化的 SOT-23 封装使得它特别适合于空间受限的设计环境。
4. 高度可靠的性能，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
5. 低输入电容，优化了动态性能，减少了驱动功耗。
6. 可承受高瞬态电压，增强了器件的耐用性。
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或开关元件。
3. 电池保护电路中的开关控制。
4. LED 驱动电路中的功率调节。
5. 各类便携式电子设备中的功率管理模块。
6. 小型化消费类电子产品中的保护和切换功能。
SI2306DS-T1-E3, SI2304DS-T1-GE3
