时间：2025/6/14 10:56:29
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SI2305CDS 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TSSOP-6 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高频开关应用。
该 MOSFET 的设计使其能够在较高的频率下高效运行，同时保持较低的功耗，非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等场景。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：4.7A
导通电阻（Rds(on)）：50mΩ（在 Vgs=10V 时）
总功耗：1.1W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
SI2305CDS 具有以下特点：
1. 极低的导通电阻，能够显著减少传导损耗，提升效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用，可以降低开关损耗。
3. 小型封装设计（TSSOP-6），节省 PCB 空间。
4. 高雪崩能力，增强了器件在异常情况下的耐受性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于使用在现代电子设备中。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如适配器、充电器等。
2. DC-DC 转换器中的同步整流。
3. 便携式设备中的负载开关。
4. 小型电机控制与驱动。
5. 各类消费类电子产品中的电源管理模块。
SI2302DS, SI2304DS
