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SI2305 发布时间 时间:2025/3/31 9:27:44 查看 阅读:6

SI2305 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小型表面贴装封装,适用于需要高效能和低导通电阻的应用场景。SI2305 在高频开关应用中表现出色,具有快速的开关速度和较低的栅极电荷特性,使其非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备等应用。
  该器件支持高达 30V 的工作电压,并具备较低的导通电阻(Rds(on)),从而提高了系统效率并减少了功率损耗。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:4.8A
  导通电阻(Rds(on)):15mΩ @ Vgs=10V
  栅极电荷:7nC
  输入电容:690pF
  总电荷:20nC
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOIC-8

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 快速的开关性能,适用于高频开关应用。
  3. 高度可靠的 Vishay 工艺制造,确保长期稳定性。
  4. 小型化封装设计,适合空间受限的设计环境。
  5. 广泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业需求。

应用

1. DC-DC 转换器
  2. 开关电源(SMPS)
  3. 负载开关
  4. 电机驱动
  5. 电池保护电路
  6. 便携式电子设备中的电源管理
  7. 通信设备中的信号切换

替代型号

IRF7404, AO3400, FDMQ8203

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