时间：2025/3/31 9:27:44
阅读：22
SI2305 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小型表面贴装封装，适用于需要高效能和低导通电阻的应用场景。SI2305 在高频开关应用中表现出色，具有快速的开关速度和较低的栅极电荷特性，使其非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备等应用。
该器件支持高达 30V 的工作电压，并具备较低的导通电阻（Rds(on)），从而提高了系统效率并减少了功率损耗。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（Rds(on)）：15mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷：7nC
输入电容：690pF
总电荷：20nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOIC-8
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 快速的开关性能，适用于高频开关应用。
3. 高度可靠的 Vishay 工艺制造，确保长期稳定性。
4. 小型化封装设计，适合空间受限的设计环境。
5. 广泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业需求。
1. DC-DC 转换器
2. 开关电源（SMPS）
3. 负载开关
4. 电机驱动
5. 电池保护电路
6. 便携式电子设备中的电源管理
7. 通信设备中的信号切换
IRF7404, AO3400, FDMQ8203
