时间：2025/6/17 9:30:05
阅读：4
SI2304DS是一款由Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用SO-8封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于高频开关应用和电源管理领域。
该器件广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等领域。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±8V
持续漏极电流：4.6A
导通电阻（典型值）：75mΩ
总功耗：1.1W
工作结温范围：-55℃至150℃
封装形式：SO-8
SI2304DS具有低导通电阻的特点，可以有效降低功率损耗并提高系统效率。
该器件还具备快速开关性能，支持高频操作，同时其小尺寸封装使其非常适合空间受限的应用场景。
Vishay保证了该产品的高可靠性和一致性，适用于各种工业及消费类电子设备。
此外，它具有良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能。
该器件主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 负载开关在便携式设备中的应用。
4. 电池保护电路以防止过流或短路。
5. 各种类型的电机驱动控制电路。
SI2302DS, SI2305DS
