时间：2025/5/10 8:52:26
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SI2304BDS-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小型化的 SOT-23 封装形式。这款器件具有低导通电阻和快速开关速度的特性，适用于便携式设备、负载开关、DC-DC 转换器、电源管理以及电池供电设备中的各种应用。
该型号是 Vishay Siliconix 系列中的一员，其设计旨在为工程师提供高性能的同时节省空间。由于其封装小巧且性能卓越，因此在消费电子和工业领域得到了广泛应用。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：2.7A
导通电阻(Rds(on))：135mΩ (典型值，在 Vgs=4.5V 时)
总功耗(Ptot)：430mW
工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
SI2304BDS-T1-GE3 的主要特点包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够在高效率的应用场景中减少功率损耗。
2. 快速的开关速度使其非常适合高频开关电路，例如 DC-DC 转换器和负载开关。
3. 小型化 SOT-23 封装极大地减少了 PCB 面积占用，适合对空间要求严格的设备。
4. 高雪崩能量能力增强了器件的坚固性，提高了系统的可靠性。
5. 工作温度范围宽广，能够在极端环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保，满足现代电子产品的环保需求。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 消费类电子产品，如手机、平板电脑、笔记本电脑等的电源管理系统。
2. 电池供电设备，用于电池保护和高效充电管理。
3. 负载开关应用，用于动态调节系统中的不同负载。
4. DC-DC 转换器和升压/降压转换器，以实现高效的电压调节。
5. 各种工业控制设备中的信号切换和功率控制。
6. LED 驱动电路中作为开关元件使用。
SI2302DS, SI2303DS, SI2305DS
